從傳統上講，射頻探針的接觸是用鈹（beryllium）-銅（BeCu）制作的。而且人們最早采用射頻探針技術與今天的工具是很不相同的，之后工程師在探針技術上取得了突破，才確定了射頻探針的基本要求和工作原理，

  射頻（RF）探針在射頻產品生命周期中幾乎每一個階段都起著重要作用：從技術開發，模型參數提取，設計驗證及調試一直到小規模生產測試和最終的生產測試。通過使用射頻探針，人們便有可能在晶片層次上測量射頻組件的真正特性。這可以將研究和開發時間縮短并且大大降低開發新產品的成本。

  在僅僅三十年的時間里，射頻探針技術便取得了驚人的進步，從低頻測量到適用多種應用場合的商用方案：如在110GHz高頻和高溫環境進行阻抗匹配，多端口，差分和混合信號的測量裝置，連續波模式中直到60W的高功率測量，以及直到750GHz的太赫茲應用，都能見到射頻探針的身影。
 人們最早采用射頻探針技術與今天的工具是很不相同的，早期探針使用了由一個很短的線極尖（wireTIp）而逐漸收斂的50-Ω微帶線，通過探針基片上一個小孔而與被測器件（DUT）的壓點（pad）相接觸。此時，其技術難度在于如何突破4GHz時實現可重復測量。雖然有可能通過校準過程來剔除一個接觸線極尖相對較大的串聯電感的影響，但當圓晶片的夾具被移動時，線極尖的輻射阻抗會有較大的變化。高頻測量使用的極尖設計與用于直流和低頻測量的極尖不同，而且必須使50-Ω環境盡可能地接近于DUT壓點。

1） 探針的50-Ω平面傳輸線應當直接與DUT壓點相接觸而不用接觸導線。對于微帶線和隨后的共面探針設計，探針的接觸是用小的金屬球來實現的，這個金屬球要足夠大以保證可靠且可重復性的接觸。

  2） 為了能同時接觸到DUT的信號壓點和接地壓點，需要將探針傾斜。這個過程被稱為“探針的平面化”。

  3） 探針的接觸重復性比同軸連接器的可重復性要好得多。便于進行探針極尖和在片標準及專用校準方法的開發。

  4）具有很高重復性的接觸可以進行探針的準確校準并將測量參考平面移向其極尖處。 來自探針線和到同軸連接器的過渡所產生的探針的損耗及反射是通過由射頻電纜和連接器的誤差相類似的方式而抵消的。

  5） 由于其很小的幾何尺寸，人們可以假設平面標準件的等效模型純粹是集總式的。此外，人們可以從標準件的幾何尺寸來很容易地預測模型參數。
在80年代初，Tektronix公司推出了最早的射頻圓晶片探針模型TMP9600和藍寶石校準基片CAL96。探針的主要開發者Eric Strid和Reed Gleason于1983年創辦了Cascade Microtech公司并推出了WPH探針。這兩個公司曾經在若干年間提供著非常類似的射頻探針，一直到Tektronix公司于90年代初最終退出了圓晶片探針這個業務。在這樣的機會下，CascadeMicrotech憑借著與Hewlett Packard公司之間的良好關系，便成為工業界射頻探針最主要的供應商。

WPH探針的頻率在很短的時間內就擴大到26GHz，并且在1987年達到了50GHz，以滿足迅速開發的單片微波集成電路（MMIC）的需要。V-波段和W-波段探針分別于1991年和1993年出現。1988年，Cascade推出了用于規�；�生產應用的26.5GHz系列極尖可替換的探針（RTP）�，F在，人們無需從測試臺上將探針主體移動便可以迅速更換陶瓷極尖。WPH探針對80年代和90年代微波技術開發做出了貢獻，但存在若干個技術上的局限。最關鍵的局限在于脆弱的陶瓷CPW線。即使施加高于建議值的一個最小的力（例如，為了達到更好的接觸）都會損壞探針。許多工程師將這個時刻稱為“死亡之聲”。陶瓷探針破裂的聲音通常還會將整個項目推向窮途末路，因為對于大學和小的研究室來說探針是非常昂貴的。雖然引入了RTP系列，但陶瓷探針還是被別的技術擠出了市場。

  當GGB工業公司為基于微同軸電纜的射頻探針申請專利時，1988年便成為另一個里程碑。采用微同軸電纜作為中間過渡媒質具有下列這些好處：

  1） 機械方面的顯著改善延長了探針的壽命。

  2） 被損壞的探針可以通過一種相對較為容易且并不昂貴的方式而重新敲打出來。

  3） 電器特性得到了改善。

4） 簡化制造工藝。

  5） 降低成本。

  在1993年，GGB公司在IEEE理論和技術協會的國際微波年會上（IMS）介紹了W-波段探針。在1999年，它們的探針達到了220GHz，在2006年又進一步擴展到325GHz，在2012年又達到了500GHz。加上與供應商的密切合作，如Karl Suss（后來的SUSS MicroTech），GGB工業公司成為全世界射頻市場上最有影響力的公司之一。

來自GGB 工業公司的Picoprobe 探針